产品概述
描述
该高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh™ DM2快速恢复二极管系列。具备极低的反向恢复电荷 (Qrr) 和时间 (trr)，同时具有低RDS(on)特性，非常适合高要求的高效转换器，是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想选择。
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所有功能
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 经过100%雪崩测试
- 非常高的dv/dt耐用性
- 齐纳保护
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STD6N60DM2
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| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
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| ZIP | 1.0 | 04 Oct 2019 | 04 Oct 2019 |
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| STD6N60DM2 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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