产品概述
描述
This device is N-channel Power MOSFET developed using UltraFASTmesh technology, which combines the advantages of reduced on resistance, Zener gate protection and very high dv/dt capability with an enhanced fast body-drain recovery diode.
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所有功能
- Outstanding dv/dt capability
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very low RDS(on)
- Extremely low trr
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意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET,这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装,可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性,适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚,可减小接通/关断开关损耗,有助于设计人员进一步提高效率。
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EDA符号、封装和3D模型
所有资源
资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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SPICE models (1)
资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
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ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
样片和购买
产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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