产品概述
描述
该功率MOSFET采用意法半导体专有的STripFET工艺开发，专为最大程度降低输入电容和栅极电荷而设计。该器件适合在电信和计算机应用中用作先进的高效隔离式DC-DC转换器的主开关，以及适合具有低栅极电荷驱动要求的应用。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 出色的dv/dt性能
- 经过100%雪崩测试
- 低栅极电荷
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
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EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STD18NF25
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| STD18NF25 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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