产品概述
描述
该N沟道功率MOSFET采用第二代MDmesh技术开发。这款革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合，因而仅会产生非常低的导通电阻和栅极电荷。因此，该器件十分适用于要求严苛的高效率转换器。
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所有功能
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STD11NM65N
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| STD11NM65N | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STD11NM65N NRND
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