产品概述
描述
这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合，实现业界领先的低导通电阻和栅极电荷。因而能完全满足高效转换器的严苛要求。
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所有功能
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STB20NM50T4
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STB20NM50T4 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STB20NM50T4 批量生产
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