Product overview
描述
该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh DM9技术，该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on) 非常低且配有快速恢复二极管的中/高电压MOSFET。基于硅的DM9技术采用多漏制造工艺，支持增强型器件结构。快速恢复二极管具有超低恢复电荷 (Qrr)、恢复时间 (trr) 及RDS(on)，使该快速开关超结功率MOSFET可满足高效桥式拓扑和ZVS相移转换器的严苛需求。
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All features
- 快速恢复体二极管
- 非常低的FOM (RDS(on)•Qg)
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100%雪崩测试
- 非常高的dv/dt耐用性
- 通过额外的驱动源引脚实现出色的开关性能
特别推荐
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - ST8L60N065DM9
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| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 30 Jun 2025 | 30 Jun 2025 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ST8L60N065DM9 | Active 产品已量产 | PowerFLAT 8x8 HV | Industrial | Ecopack2 | 10 | 2025-06-30T00:00:00.000+02:00 |
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| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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| ST8L60N065DM9 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
ST8L60N065DM9 Active
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