产品概述
描述
该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh DM9技术，该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on) 非常低且配有快速恢复二极管的中/高电压MOSFET。基于硅的DM9技术采用多漏制造工艺，支持增强型器件结构。快速恢复二极管具有超低恢复电荷 (Qrr)、恢复时间 (trr) 及RDS(on)，使该快速开关超结功率MOSFET可满足高效桥式拓扑和ZVS相移转换器的严苛需求。
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所有功能
- 快速恢复体二极管
- 非常低的FOM (RDS(on)•Qg)
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100%雪崩测试
- 非常高的dv/dt耐用性
- 通过额外的驱动源引脚实现出色的开关性能
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - ST8L60N065DM9
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符号
封装
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所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 30 Jun 2025 | 30 Jun 2025 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ST8L60N065DM9 | 批量生产 | PowerFLAT 8x8 HV | 工业 | Ecopack2 | 10 | 2025-06-30T00:00:00.000+02:00 | |
ST8L60N065DM9
Package:
PowerFLAT 8x8 HVMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ST8L60N065DM9 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
ST8L60N065DM9 批量生产