SCT20N120
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碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 C),HiP247封装

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产品概述

描述

该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

  • 所有功能

    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 开关损耗随温度变化极小温度
    • 适应非常高的工作温度(200°C)
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 低电容
    • 易于驱动

EDA符号、封装和3D模型

意法半导体 - SCT20N120

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