Product overview
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
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All features
- 导通电阻随温度变化敏感温度
- 开关损耗随温度变化极小温度
- 适应非常高的工作温度(200°C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
- 易于驱动
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCT20N120
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| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
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| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |