产品概要
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
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性能一览
- 导通电阻随温度变化敏感温度
- 开关损耗随温度变化极小温度
- 适应非常高的工作温度(200°C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
- 易于驱动
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCT20N120
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所有资源
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT20N120 | NRND 不推荐用于新设计。量产仅供支持现有生产。 | HIP247 | Industrial | Ecopack2 | - | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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| SCT20N120 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
SCT20N120 NRND
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