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MASTERGAN6

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650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver

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产品概述

描述

MASTERGAN6是一款先进的系统级封装功率器件,集成两个增强型氮化镓晶体管,以半桥结构配置,并由高压高频栅极驱动器驱动。

集成氮化镓功率器件的典型RDS(ON)为140 mΩ,漏源阻断电压为650 V。

MASTERGAN6在上下驱动部分均集成线性稳压器,以优化驱动效率。嵌入式栅极驱动器的高压侧可由集成的自举二极管供电。互锁功能防止交叉道通。

先进的驱动部分凭借传播延迟小、唤醒时间极短和最小导通时间短,实现高频开关操作。

扩展输入引脚范围及远程信号引脚 (FLT) 便于与控制器、微控制器或DSP单元对接。待机引脚可降低器件在非活动期间的功耗。

MASTERGAN6的工业级工作温度范围为-40 °C至125 °C。

该器件采用紧凑型9x9x1 mm QFN封装。

  • 所有功能

    • 系统级封装功率器件,集成650 V氮化镓晶体管半桥和高压栅极驱动器
    • 低侧和高侧RDS(ON) 典型值为140 mΩ,IDS(MAX) = 10 A
    • 线性稳压器用于调节高侧和低侧驱动器电源电压
    • 驱动器整体传播延迟为45 ns,最小脉宽为35 ns
    • 高侧驱动器的唤醒时间极快
    • 外部可调导通电阻
    • VCC和高侧驱动器电源电压具备UVLO保护
    • 互锁功能
    • 专用待机和关断引脚,及故障信号引脚用于实现远程控制
    • 兼容3.3 V至15 V(典型值)的输入,带滞后和下拉功能
    • 热关断保护

EDA符号、封装和3D模型

意法半导体 - MASTERGAN6

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产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 Longevity Commitment Longevity Starting Date 材料声明**
MASTERGAN6TR
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TFQFPN 9X9X1.05 35L PITCH 0.6MM 工业 Ecopack2 - -

MASTERGAN6TR

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TFQFPN 9X9X1.05 35L PITCH 0.6MM

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