产品概述
描述
L6986I是专为隔离式降压拓扑设计的器件。由于采用P沟道MOSFET作为高侧电源开关，因此该器件具有100%的占空比操作。能够精确调节初级输出电压，而隔离的次级输出电压则通过给定的变压比生成。无需光耦合器。初级受电能力可达1.9 A（即使在软启动期间），允许适当的能量转移到次级侧，并实现可跟踪的次级输出软启动。控制回路基于峰值电流模式架构，器件在强制PWM模式下工作。300 ns的消隐时间过滤了由变压器漏感导致的振荡，使解决方案更加稳定可靠。两个功率元件上的逐脉冲电流检测实现了有效的初级侧恒流保护。由于初级反向电流限制，次级输出受到保护以防止出现短路。初级输出电压监控，通过RST开路集电极输出，通知初级输出电压调节，还提供过电压保护、可调开关频率、同步和可编程软启动。
-
所有功能
- 专为iso-buck拓扑而设计
- 工作输入电压范围：4 V至38 V
- 初级输出电压调节/无需光耦合器
- 1.9 A（典型值）受电峰值初级电流能力
- 峰值电流模式架构，器件在强制PWM模式下工作
- 300 ns消隐时间
- 8 µA IQ-SHTDWN
- 可调节fSW和同步
- 嵌入式初级输出电压监测
- 软启动时间可调
- 内部初级电流限制
- 过电压保护
- RDS(on) HS = 180 mΩ，RDS(on) LS = 150 mΩ
- 过热保护
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| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
|---|
SIMPLIS models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | Options | |
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2025.11 | 13 Nov 2025 | 13 Nov 2025 |
质量与可靠性
| 料号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| L6986ITR | 批量生产 产品已量产 | HTSSOP16 | 工业 | Ecopack2 | 10 | 2023-06-06T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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