产品概述
描述
This N-channel Power MOSFET is developed with STMicroelectronics unique STripFET process.
It has been specifically designed for satellite application able to sustain high TID and immunity to heavy ion effects. It is qualified as per 5205/022 ESCC specification.
-
所有功能
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Hermetic package
- 50 krad TID
- SEE radiation hardened
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STRH100N6
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.4 | 15 Oct 2021 | 15 Oct 2021 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STRH100N6HY1 | 批量生产 | TO-254AA | 工业 | N/A | - | - | |
| STRH100N6HYG | 批量生产 | TO-254AA | 工业 | N/A | - | - | |
| STRH100N6HYT | 批量生产 | TO-254AA | 工业 | N/A | - | - | |
STRH100N6HY1
Package:
TO-254AAMaterial Declaration**:
STRH100N6HYG
Package:
TO-254AAMaterial Declaration**:
STRH100N6HYT
Package:
TO-254AAMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | Package: Product Marking | SMD PIN/Detailed Spec | Quality Level | Lead Finish | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STRH100N6HY1 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
|
|
|
| ||||||||||
| STRH100N6HYT | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
|
|
|
| ||||||||||
| STRH100N6HYG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
|
|
|
|
STRH100N6HY1 批量生产
STRH100N6HYT 批量生产
STRH100N6HYG 批量生产