STWA75N65DM6

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N沟道650 V、33 mOhm典型值、75 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO-247长引线封装

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产品概述

描述

该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比,DM6兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快恢复时间(trr),并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进,采用市场上最高效的开关行为之一,适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。

  • 所有功能

    • 快速恢复体二极管
    • 与上一代相比,具有更低的单位面积RDS(on)
    • 低栅极电荷、输入电容和电阻
    • 经过100%雪崩测试
    • 非常高的dv / dt耐用性
    • 稳压保护

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STWA75N65DM6

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