产品概述
描述
该器件是采用STripFET F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS（on）。
-
所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅驱动功率损耗
- 逻辑电平
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STS8N6LF6AG
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 21 Feb 2017 | 21 Feb 2017 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STS8N6LF6AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STS8N6LF6AG 批量生产
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