STS8DN3LLH5

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双路N沟道30 V、0.0155 Ohm典型值、10 A STripFET(TM) V功率MOSFET,SO-8封装

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产品概述

描述

This STripFET™V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM.

  • 所有功能

    • RDS(on) * Qg industry benchmark
    • Very low switching gate charge
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • Low gate drive power losses
    • High avalanche ruggedness

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STS8DN3LLH5

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产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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SO-8 工业 Ecopack2

STS8DN3LLH5

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SO-8

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Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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