意法半导体MDmesh超结 (SJ) MOSFET的击穿电压范围为250 V至650 V，采用MAX-247封装，可提供低至12 mΩ (650 V) 的极低导通电阻 (RDS(on))。意法半导体的产品组合还包括最新的STMESH沟槽超结 (SJ) 系列（标准版和快速版），击穿电压为600 V。
STPOWER MOSFET标准系列
根据目标电路拓扑和应用，可提供不同的专用产品系列。依托技术本身的通用性与灵活优势，系统设计人员可获得从既有M2、M5、M6系列到最新M9系列的多样化选型；M9系列既适用于硬开关拓扑，也适用于谐振拓扑，广泛用于高功率密度系统。此外，意法半导体还提供属于STMESH沟槽系列的T系列产品，主要适用于大功率应用中的硬开关拓扑结构。
M2
MDmesh M2
超结功率MOSFET在RDS(on)和电容曲线之间实现最佳折中，适用于软开关拓扑。
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M5
MDmesh M5
超结功率MOSFET具有卓越的RDS(on)值，可显著提高系统效率，适用于电信服务器和光伏逆变器中的大功率PFC电路等应用。
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M6
MDmesh M6
意法半导体最新的超结技术针对谐振拓扑进行了优化，适用于大功率应用。
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M9
MDmesh M9
超结功率MOSFET拥有行业内最佳的单位面积导通电阻之一，可显著降低服务器、数据中心、5G基站、基于PFC的微型逆变器和谐振DC-DC转换器拓扑中的总功率损耗。该系列适用于工业和汽车市场。
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T
T系列
该N沟道功率MOSFET采用最具创新性的高压沟槽MOSFET技术，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于中高压MOSFET应用。T系列是服务器和UPS、数据中心、可再生能源、电信电源以及电动汽车充电站的理想选择。
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STPOWER MOSFET快速恢复体二极管系列
此外，MDmesh系列还包括带有快速恢复本征二极管的版本（DM2、DM6、DM9）。由于在标准工艺基础上增加了铂扩散工艺，本征体二极管的性能得以提升，降低了反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr，并改善了dv/dt（DMx系列），所有这些特点使其成为桥式和大功率相移电路的理想选择。
DM2
MDmesh DM2
快速恢复体二极管MOSFET是全桥相移ZVS拓扑的理想选择。该系列还包含经AEC-Q101认证的400 V、500 V、600 V和650 V器件，适用于汽车应用。
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DM6
MDmesh DM6
快速恢复超结MOSFET，具有非常优秀的单位面积RDS(on)，并针对全桥相移ZVS拓扑进行了优化。该系列还包含经AEC-Q101认证的600 V和650 V器件，适用于汽车应用。
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DM9
MDmesh DM9
快速恢复超结MOSFET，拥有业界出色的单位面积导通电阻，并具有极低的Qg、Qrr和trr，专为半桥和全桥相移ZVS拓扑而设计。该系列还包含经AEC-Q101认证的600 V和650 V器件，适用于汽车应用，具有较软的换向特性，适合超高效系统。
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我们广泛的STPOWER MOSFET（电压大于200 V至700 V）产品组合采用先进的封装和保护技术以确保高可靠性和安全性，有助于为定制化的高效应用找到合适的解决方案，确保系统拥有长久的使用寿命。
