产品概述
描述
这款超高压N沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计，该技术以创新的专有垂直结构为基础。因此，能够显著降低导通电阻并具有非常低的栅极电荷，适用于要求高功率密度和高效率的应用。
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所有功能
- 业界先进的低RDS(on) x 面积
- 业界出色的品质因数 (FoM)
- 超低的栅极电荷
- 经过100%雪崩测试
- 齐纳保护
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STP3LN80K5
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| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
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| ZIP | 1.0 | 19 Sep 2016 | 19 Sep 2016 |