Product overview
描述
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
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All features
- 业界领先的低 RDS(on) x 面积
- 业界出色的品质因数（FoM）
- 极低的栅极电荷
- 经过100％雪崩测试
- 稳压保护
特别推荐
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STP2N105K5
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| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |