产品概述
描述
This n-channel enhancement mode Power MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronics' unique \"single feature size\" strip-based process, which has decreased the critical alignment steps, offering remarkable manufacturing reproducibility. The outcome is a transistor with extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
-
所有功能
- Logic level drive
- 100% avalanche tested
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STP190N55LF3
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 3.0 | 09 Jun 2021 | 09 Jun 2021 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP190N55LF3 | 批量生产 | TO-220 | 汽车应用 | Ecopack2 | |
STP190N55LF3
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP190N55LF3 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STP190N55LF3 批量生产