产品概述
描述
这些N沟道功率MOSFET采用意法半导体革命性的MDmesh技术开发，该技术将多漏极工艺与公司的PowerMESH水平布局相结合。此类器件具有极低的导通电阻、高dv/dt以及出色的雪崩特性。采用意法半导体专有的条带技术，这些功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品。
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所有功能
- 高dv/dt和雪崩特性
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 经过100%雪崩测试
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STP11NM80
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP11NM80 | 批量生产 | TO-220 | 工业 | Ecopack2 | - | - | |
STP11NM80
Package:
TO-220Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STP11NM80 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STP11NM80 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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