产品概述
描述
该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
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所有功能
- 通过AEC-Q101认证
- 超低导通电阻
- 超低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 低栅驱动功率损耗
- 侧面可焊性封装
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
所有资源
资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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SPICE models (1)
资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
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ZIP | 1.0 | 22 May 2017 | 22 May 2017 |
样片和购买
产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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