产品概述
描述
此款N通道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅结构。
产品的通态电阻极低，可减小内部电容和栅极电荷，从而实现更加快速、高效的开关切换。
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所有功能
- 符合AEC-Q101
- MSL1级
- 175 °C工作温度
- 经过100％雪崩测试
- 具有可湿性侧面的封装
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STL325N4LF8AG
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 19 Jul 2022 | 19 Jul 2022 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STL325N4LF8AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STL325N4LF8AG 批量生产
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