产品概述
描述
N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅结构。
产品的通态电阻极低，可减小内部电容和栅极电荷，从而实现更加快速、高效的开关切换。
-
所有功能
- MSL1级
- 175 °C工作温度
- 经过100％雪崩测试
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STL320N4LF8
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 19 Jul 2022 | 19 Jul 2022 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL320N4LF8 | 批量生产 | PowerFLAT 5x6 | 工业 | Ecopack2 | 10 | 2025-02-01T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STL320N4LF8 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STL320N4LF8 批量生产
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包装类型:
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