产品概述
描述
该器件是一款N沟道功率MOSFET，采用第二代MDmesh技术开发。这款革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局关联起来，产生的导通电阻和栅极电荷极低，因而能完全满足高效转换器的严苛要求。
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所有功能
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STI13NM60N
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| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
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| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
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| STI13NM60N | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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