产品概述
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。ACEPACK SMIT表面贴装式电源封装采用了DBC基板，热阻极低，并配有电气隔离顶端散热垫。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 最短短路耐受时间为6 μs
- VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 200 A
- 紧凑参数分布
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 晶片位于直接敷铜 (DBC) 基板上
- 隔离额定值3400 Vrms/min
- Ul认可：UL 1557文件E81734
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGSB200M65DF2AG
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 02 May 2022 | 02 May 2022 |