STGSB200M65DF2AG

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650 V、200 A车规级沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT,采用ACEPACK SMIT封装

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产品概述

描述

该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡,其中低损耗和短路功能至关重要。此外,它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布,使得并联操作更为安全。ACEPACK SMIT表面贴装式电源封装采用了DBC基板,热阻极低,并配有电气隔离顶端散热垫。

  • 所有功能

    • 符合AEC-Q101标准
    • 最短短路耐受时间为6 μs
    • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 200 A
    • 紧凑参数分布
    • 正VCE(sat)温度系数
    • 低热阻
    • 最大结温:TJ = 175 °C
    • 晶片位于直接敷铜 (DBC) 基板上
    • 隔离额定值3400 Vrms/min
    • Ul认可:UL 1557文件E81734

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STGSB200M65DF2AG

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产品型号 Marketing Status 一般描述 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package ACEPACK SMIT 汽车应用 Ecopack2

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Package:

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package

Material Declaration**:

Marketing Status

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General Description

Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package

Package

ACEPACK SMIT

Grade

Automotive

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