产品概述
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。ACEPACK SMIT表面贴装式电源封装采用了DBC基板，热阻极低，并配有电气隔离顶端散热垫。
-
所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 最短短路耐受时间为6 μs
- VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 200 A
- 紧凑参数分布
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 晶片位于直接敷铜 (DBC) 基板上
- 隔离额定值3400 Vrms/min
- Ul认可：UL 1557文件E81734
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGSB200M65DF2AG
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 02 May 2022 | 02 May 2022 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGSB200M65DF2AG | NRND | Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package | ACEPACK SMIT | 汽车应用 | Ecopack2 | 10 | 2020-12-04T00:00:00.000+01:00 | |
STGSB200M65DF2AG
Package:
Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT packageMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 一般描述 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGSB200M65DF2AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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STGSB200M65DF2AG NRND
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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