产品概述
描述
这些N沟道功率MOSFET采用意法半导体革命性的MDmesh技术开发，该技术将多漏极工艺与公司的PowerMESH水平布局相结合。此类器件具有极低的导通电阻、高dv/dt以及出色的雪崩特性。采用意法半导体专有的条带技术，这些功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品。
-
所有功能
- 高dv/dt和雪崩特性
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 经过100%雪崩测试
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STF11NM80
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
样片和购买
Don't show this again
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STF11NM80 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STF11NM80 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
Don't show this again