产品概述
描述
这款超高压N-沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
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所有功能
- 业界领先的低 RDS(on) x 面积
- 业界出色的品质因数(FoM)
- 极低的栅极电荷
- 经过100%雪崩测试
- 稳压保护
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
所有资源
资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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SPICE models (1)
资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
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ZIP | 1.0 | 24 Feb 2016 | 24 Feb 2016 |
质量与可靠性
产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
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STF10LN80K5 | 批量生产 | TO-220FP | 工业 | Ecopack2 | |
STF10LN80K5
Package:
TO-220FPMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
样片和购买
产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
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STF10LN80K5 | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 |
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