STD60NF55LAT4
Active
Design Win
N沟道55 V、12 mΩ、60 A STripFET II功率MOSFET,采用DPAK封装

Download datasheet

产品概要

描述

该系列功率MOSFET采用意法半导体专有的STripFET™工艺,专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此非常适合用作电信和计算机应用中高效隔离DC-DC转换器的初级开关。该器件同样适用于要求低栅极电荷驱动的应用场景。

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STD60NF55LAT4

Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.

Please select one model supplier :

Symbols

Symbols

Footprints

Footprints

3D model

3D models

Quality and Reliability

Part Number Marketing Status Package Grade 符合RoHS级别 Longevity Commitment Longevity Starting Date Material Declaration**
STD60NF55LAT4
Active
DPAK Automotive Ecopack1 - -

STD60NF55LAT4

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

Sample & Buy

Loading...
Part Number
供货状态
Budgetary Price (US$)*/Qty
从ST订购
Order from distributors
Package
Packing Type
RoHS
Country of Origin
ECCN (US)
ECCN (EU)
Operating temperature (°C)
最小值
最大值
STD60NF55LAT4

经销商的可用性 STD60NF55LAT4

代理商名称
地区 Stock 最小订购量 第三方链接

代理商库存报告日期:

无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处

STD60NF55LAT4 Active

Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
Package:
Packing Type:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

Part Number:

STD60NF55LAT4

Operating Temperature (°C)

Min:

Max:

代理商名称

代理商库存报告日期:

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商