STD120N4F6

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N沟道40 V、3.5 mOhm、80 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装

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产品概述

描述

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

  • 所有功能

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STD120N4F6

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符号

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3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD120N4F6
批量生产
DPAK 汽车应用 Ecopack2 (**)

STD120N4F6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2 (**)

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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