MDmesh K6功率MOSFET是意法半导体最新推出的超高压超结技术
意法半导体的800V MDmesh K6系列兼具出色的性能和易用性，为800V超结技术树立了标杆。MDmesh K6以DPAK封装提供目前在800V电压下可达到的最低RDS(on) (220 mΩ)。这一全新产品系列非常适合LED驱动器和HID灯等照明应用，以及适配器和平板电视中基于反激拓扑的SMPS。新一代先进产品具有诸多亮点，包括RDS(on)非常低并提供通孔和SMD封装等。凭借这种封装，在相同的导通电阻下成本更低、晶片尺寸更小，有助于设计更为紧凑的系统。此外，相对于上一代产品，MDmesh K6系列具有更低的阀值电压VGS(th)，能够降低驱动电压，实现更低的功耗。
这些功率MOSFET属于STPOWER系列。
主要特性
- 在800V电压范围下具有业界极低的RDS(on)
- 高开关速度
- 更低的VGS(th)
- 极低的Qg
主要优势
- 降低设计复杂度，提高效率
- 专为反激拓扑应用量身定制
