先进的MDmesh DM9超结功率MOSFET是意法半导体较新的快速恢复二极管MOSFET系列,针对全桥相移ZVS拓扑进行了优化。这些600和650 V快速恢复MOSFET包含符合AEC-Q101标准的器件,具有市场上出色的品质因数 (RDS(on) max x Qg)、超低反向恢复电荷和时间(Qrr、trr),与前一代相比,RDS(on)降低了46%。MDmesh DM9系列提供多种封装选项,包括TO-247长引线、TO-220、H2PAK-2、TO-LL、PowerFLAT HV (8 x 8 mm) 和SOT223-2。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。
STPOWER MDmesh DM9 AG系列中的第一个汽车级器件是采用H2PAK-2封装的STH60N099DM9-2AG。
应用
MDmesh DM9系列凭借更强大的性能和更高的功率密度实现优异的能效等级,非常适合电动汽车充电站、电信数据中心、5G发电站、服务器、太阳能逆变器、UPS、能源存储系统、车载充电器 (OBC) 和DC-DC转换器等设备。





优势
- 提高了功率等级
- 高效率且具有更高的功率密度
- 增强了系统可靠性和稳定性
- 更高的工作频率和更好的热管理