产品概述
描述
STPRDC02是一款60 V高压全桥MOSFET驱动器IC，旨在实现基于STVCOT™的谐振/非谐振转换器初级侧特定控制方案。该器件提供四个大电流栅极驱动输出，每个输出能够驱动一个或多个N沟道功率MOSFET。
其特性包括可编程死区时间控制，可优化MOSFET开关并降低损耗，从而提高整体效率。
两个PWM输入独立控制两个半桥部分。当EN引脚为低电平时，无论PWM状态如何，所有栅极驱动都将强制拉低，实现高阻态。
过流保护功能可编程，并通过与低侧功率MOSFET串联的公共分流电阻进行检测。
STPRDC02采用带裸露焊盘的VFQFPN 4x4 mm封装。
-
所有功能
- N沟道MOSFET的60 V全桥驱动器
- 可调死区时间控制
- 2 A灌/源电流
- 工作频率高达1 MHz
- 使能输入
- 可编程过流保护
- 采用VFQFPN 4x4 mm封装
电路原理图
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STPRDC02
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STPRDC02TR | 批量生产 | VFQFPN 25L 4X4X1 0.4 PITCH | 工业 | Ecopack2 | - | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STPRDC02TR | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STPRDC02TR 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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