产品概要
描述
STDRIVEG600是用于增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。
高边部分的设计可承受最高600 V的电压，适用于总线电压高达500 V的设计。
该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压，其设计用于驱动高速GaN和Si FET。
STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。
逻辑输入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），易于与微控制器和DSP连接。
-
性能一览
- dV/dt抗扰度±200 V/ns
- 驱动器电流能力：
- 1.3/2.4 A 拉/灌 典型值 @25°C，6 V
- 5.5/6 A 拉/灌 典型值 @25°C，15 V
- 开关栅极驱动器引脚相分离
- 45 ns传播延迟，紧密匹配
- 具有迟滞的3.3 V，5 V TTL / CMOS输入
- 互锁功能
- 低边和高边部分的UVLO
- 关闭功能专用引脚
- 超温保护
特别推荐
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STDRIVEG600
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
Symbols
Footprints
3D models
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STDRIVEG600 | Active 产品已量产 | SO-16 | Industrial | Ecopack2 | 15 | - | |
| STDRIVEG600TR | Active 产品已量产 | SO-16 | Industrial | Ecopack2 | 15 | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
You’re now leaving st.com and will be re-directed to our Partner’s website.
For the latest innovations and solutions from ST, sign up for our newsletters.
Sample & Buy
| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STDRIVEG600 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
| STDRIVEG600TR | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STDRIVEG600 Active
STDRIVEG600TR Active