产品概述
描述
STDRIVEG210是一款专为N沟道增强模式GaN设计的高压半桥栅极驱动器。
高侧驱动器部分设计可承受高达220 V的电压轨，并通过集成的自举二极管轻松供电。
STDRIVEG210具备大电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配性能，同时集成了LDO稳压器，使其成为驱动高速GaN的理想选择。
STDRIVEG210配备了针对快速启动和低功耗软开关应用优化的电源UVLO功能，同时完全支持硬开关操作，并具备互锁功能以避免交叉导通。高侧稳压器具有非常短的唤醒时间，可在间歇运行 (突发模式) 期间最大限度提高应用效率。
扩展的输入引脚范围便于与控制器连接。待机引脚可在非活动期或突发模式下显著降低功耗。
STDRIVEG210的工作温度范围为-40 °C至125 °C，适用于工业环境。
该器件采用紧凑型QFN 4 mm x 5 mm x1 mm封装，间距为0.5 mm。
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所有功能
- 高压导轨达220 V
- dV/dt瞬态抗扰度±200 V/ns
- 驱动器具有独立的受电和供电路径，可优化驱动效果：
- 2.4 A 和 1.2 Ω受电
- 1.0 A 和 3.7 Ω供电
- 超快高侧启动时间：300 ns
- 45 ns传播延迟，15 ns最小输出脉冲
- 高开关频率 (> 1 MHz)
- 嵌入式限幅二极管
- 完全支持GaN硬开关操作
- UVLO功能适用于VCC、VBO和VLS
- 独立的逻辑输入和关断引脚
- 故障引脚，用于过热和UVLO报告
- 待机功能支持低功耗模式
- 分离式PGND支持Kelvin供电驱动和电流分流兼容性
- 具有滞后和下拉功能的3.3 V至20 V兼容输入
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EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STDRIVEG210
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STDRIVEG210Q | 批量生产 | QFN-18L | 工业 | Ecopack2 | 15 | - | |
| STDRIVEG210QTR | 批量生产 | QFN-18L | 工业 | Ecopack2 | 15 | - | |
STDRIVEG210Q
Package:
QFN-18LMaterial Declaration**:
STDRIVEG210QTR
Package:
QFN-18LMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STDRIVEG210QTR | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
| STDRIVEG210Q | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STDRIVEG210QTR 批量生产
STDRIVEG210Q 批量生产