EVLSTDRIVEG610Q

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用于GaN功率开关的STDRIVEG611高压高速半桥栅极驱动器演示板

描述

STDRIVEG610是一款高速半桥栅极驱动器，专为驱动高电压增强模式GaN HEMT进行了优化。

它采用4x5 mm QFN封装，具备分离式大电流灌受电/供电栅极驱动引脚、集成LDO、欠压保护、自举二极管、高侧快速启动、过温保护、故障和关断引脚以及待机功能，可完全支持硬开关拓扑。

EVLSTDRIVEG610Q评估板简单易用且可快速适配，可用于评估STDRIVEG610驱动75 mΩ（典型值）、650 V增强型氮化镓开关（采用5x6 mm QFN封装）的特性。EVLSTDRIVEG610Q评估板同样适用于评估STDRIVEG210的功能特性。

该评估板具有板载的可编程死区时间发生器和一个3.3 V线性稳压器，可以为微控制器等外部逻辑电路供电。

另外还预留了空间，以便为最终应用定制电路板，例如单独的LIN和HIN输入信号或单一PWM信号。

EVLSTDRIVEG610Q评估板尺寸为56 x 70 mm，采用2层、1.5 Oz、FR-4 PCB设计，在静止空气中其整体热阻Rth(J-A)为24 °C/W（相当于每个GaN为48 °C/W），适用于高功率应用的评估。