PWD5F60

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高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式比较器

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产品概述

描述

PWD5F60是一款先进的system-in-package产品,集成了栅驱动器和双半桥四个N通道功率MOSFETs。

集成功率MOSFET具有1.38Ω的RDS(ON) 和600 V漏极 - 源极击穿电压,而集成的自举二极管可以帮助轻松提供上桥臂的栅极驱动。该器件的高集成度可以在狭小的空间内有效地驱动负载。

PWD5F60可接受宽范围(10 V至20 V)的电源电压(VCC), 并在下部和上部驱动部分都具有UVLO保护功能, 可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。

该输入引脚扩展范围允许与微控制器, DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。

PWD5F60内嵌两个独立的比较器,可用于防止过流,过温等保护。

PWD5F60的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型VFQFPN封装。

  • 所有功能

    • 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的封装电力系统
      • RDS(ON) = 1.38 Ω
      • BVDSS = 600 V
    • 适合作为
      • 全桥接线法
      • 双独立半桥
    • 低侧和高侧UVLO保护
    • 3.3V至15V兼容的滞后和下拉输入
    • 内置自举二极管
    • 独立的比较器
    • 可调死区
    • 物料削减单
    • 非常紧凑和简化的布局
    • 灵活、简便、快速的设计

电路原理图

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STMicroelectronics - PWD5F60

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