产品概述
描述
A2387是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。
高侧(悬空)部分设计可承受高达150 V的电压轨。逻辑输入兼容CMOS/TTL,可轻松对接微控制器或DSP。
A2387具有电源UVLO保护和互锁功能,可避免交叉导通情况。工作温度范围为-40 °C至125 °C。
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所有功能
- 通过AEC-Q100认证
- 支持高达150 V的高压轨
- 整个温度范围内dV/dt瞬态抗扰性:±50 V/ns
- 驱动器电流能力:
400 mA供电电流 650 mA受电电流 - 开关时间:50/30 ns(上升/下降),负载1 nF
- 具有滞后和下拉功能的CMOS/TTL施密特触发器输入
- 内部自举二极管
- 输出与输入同相位
- 互锁功能
EDA符号、封装和3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A2387D | 批量生产 | SO-8 | 工业 | Ecopack2 | 15 | 2025-01-01T00:00:00.000+01:00 | |
| A2387DTR | 批量生产 | SO-8 | 工业 | Ecopack2 | 15 | 2025-01-01T00:00:00.000+01:00 | |
A2387D
Package:
SO-8Material Declaration**:
A2387DTR
Package:
SO-8Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| A2387D | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
| A2387DTR | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
A2387D 批量生产
A2387DTR 批量生产