产品概要
描述
M95M01-A125、M95M01-A145和M95M01-A150是车规级1 Mb串行电可擦除可编程存储器 (EEPROM) 器件。采用CMOSF8H工艺制造的器件，工作温度高达+145 °C；采用CMOSF9V工艺制造的器件，工作温度高达+150 °C。这些器件均通过高可靠性汽车标准AEC-Q100 0级认证，可通过简单的SPI兼容串行接口进行访问，运行速率高达16 MHz。此外，采用CMOSF9V工艺制造的器件符合ASIL-B Ready要求。
这些器件为字节可更改存储器（131072 × 8位），组织结构为512页，每页256字节，其中的嵌入式纠错码逻辑可显著提高数据完整性。
M95M01-A125、M95M01-A145和M95M01-A150还提供一个额外的标识页（256字节），用于读取意法半导体器件标识信息。标识页还可存储敏感的应用参数，并可将其永久锁定为只读模式。
-
性能一览
- 功能安全
- 符合ASIL-B Ready要求
- 级别
- 通过AEC-Q100 0级认证
- SPI接口
- 兼容串行外设接口 (SPI) 总线
- 存储器
- 1 Mb (128 KB) EEPROM
- 页大小：256字节
- 附加256字节可锁定标识页
- 供电电压
- CMOSF8H产品：2.5 V至5.5 V
- CMOSF9V产品：1.7 V至5.5 V
- 温度
- 工作温度范围：
- 范围3：-40 °C至+125 °C
- 范围4 (CMOSF8H)：-40 °C至+145 °C
- 范围4 (CMOSF9V)：-40 °C至+150 °C
- 工作温度范围：
- 时钟频率
- 最高16 MHz
- 快速写入循环时间
- CMOSF8H产品：字节和页面写入时间不超过5 ms（通常为4 ms）
- CMOSF9V产品：字节和页面写入时间不超过3.5 ms（通常为2.6 ms）
- 高级特性
- 用于噪声滤波的施密特触发器输入
- 支持按四分之一块提供软件写保护
- 整个存储阵列的硬件写保护
- 增强型ESD/闩锁保护
- ESD人体模型：4000 V
- 写入循环性能
- CMOSF8H产品：
- +25 °C下超过400万次写循环
- +85 °C下超过120万次写循环
- +125 °C下超过60万次写循环
- +145 °C下超过40万次写循环
- CMOSF9V产品：
- +25 °C下超过400万次写循环
- +85 °C下超过120万次写循环
- +125 °C下超过60万次写循环
- +150 °C下超过40万次写循环
- CMOSF8H产品：
- 数据保留性能
- CMOSF8H产品：25 °C下可达100年
- CMOSF9V产品：45 °C下可达15年
- 超低电流消耗（适用于CMOSF9V商用产品）
- 待机模式下0.6 μA（典型值）
- 读取电流650 μA（典型值）
- 写入电流1 mA（典型值）
- 封装
- SO8N、TSSOP8和WFDFPN8封装（符合ECOPACK2标准）
- 功能安全
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - M95M01-A150
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IBIS models (2)
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Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| M95M01-DWDW4TP/V | Active 产品已量产 | TSSOP-8L | Automotive | Ecopack2 | 15 | 2025-04-01T00:00:00.000+02:00 |
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