产品概述
描述
该器件是面向高侧配置中功率MOSFET的高级控制器，专门用于为12 V、24 V和48 V汽车应用实现两个智能高侧开关。控制IC可通过3.3 V和5 V CMOS兼容SPI接口与主机微控制器连接，并为系统提供保护和诊断功能。
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所有功能
- 专为汽车应用设计
- 常规
- 双独立通道高侧开关控制IC（具有电子熔断器保护），适合12 V、24 V以及48 V应用
- SPI从接口用于主机控制
- 32位ST-SPI接口，兼容3.3 V和5 V CMOS电平
- 2级电荷泵
- 双栅极驱动，面向高侧配置中的外部MOSFET
- 背靠背配置
- 通过外部高侧分流电阻，由SPI为每个通道实现高精度双向数字电流检测
- 为一个NTC电阻提供输入，用于监测外部MOSFET温度
- 极低的待机电流：待机模式下每通道25 μA，深度待机模式下0 μA
- 配备紧急停止和跛行回家引脚，可实现高级安全功能
- 由专用数字输入引脚锁定的器件配置
- 集成式ADC，用于TJ、VNTC、VOUT、VSENSEP1、VSENSEP2和VDS转换
- 用于VDS、VSENSE转换的快速ADC
- CCM：电容充电模式
- 内嵌有限次可编程非易失性存储器 (FTP NVM)，用于客户分区编程/擦除/读取
- 用于外部MOSFET栅极引脚硬件控制的直接输入引脚
- BIST（电流检测、VDS监控和直通）
- 采用带可湿性侧面的QFN 5x5x0.9 mm 32+4L封装
- 保护功能
- 可通过SPI配置电池欠压关断
- 可通过SPI配置外部MOSFET去饱和关断
- 可通过SPI配置强短路闭锁
- 双向OVL关断（过载电流），延迟时间可通过SPI配置
- 可通过SPI配置I2t保护（电流与时间闭锁）（熔断仿真）
- 器件超温关断
- 电流检测欠压
- 外部电池（通过外部元件实现保护）MOSFET过热关断
- 通过外部元件实现电池反向保护
- 通过外部元件实现电池微秒级关断保护（符合LV124标准）
- 接地失效
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - VNFD1248F
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 料号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
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| VNFD1248F | 预览 产品尚在设计阶段 | VFQFN 5X5X0.9 32+4L WETT. FLANKS | 汽车应用 | Ecopack2 | - | - | |
| VNFD1248FTR | 预览 产品尚在设计阶段 | VFQFN 5X5X0.9 32+4L WETT. FLANKS | 汽车应用 | Ecopack2 | - | - | |
VNFD1248F
Package:
VFQFN 5X5X0.9 32+4L WETT. FLANKSMaterial Declaration**:
VNFD1248FTR
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