在生产过程中如何简便地将NVM进行整合

工厂中的女性

 

在设计中集成非易失性存储器时,从初始数据上载到内容验证可能都非常耗时,并且还会为制造商带来额外成本

意法半导体提供了一款具有诸多独特特性的非易失性存储器Page EEPROM,帮助制造商降低制造成本

支持上载数据的NVM

存储器交付给制造商后,其初始状态将决定生产过程中的部分相关成本。Page EEPROM交付时初始状态为擦除状态FF,交付后即可在此状态下进行编程,有助于制造商节省时间和成本。

编程速度快,便于上载数据

在生产阶段,时间就是金钱。存储器编程所花费的每一秒都会额外增加制造商的成本,将设计用于大规模量产时更是如此。Page EEPROM具备缓冲加载这一独特特性,有助于降低此类成本。

该特性可隐藏SPI通信,缩短编程时间。下图展示了有/无缓冲加载特性的编程时间对比:

    Page EEPROM的编程速度是串行Flash存储器的1.75倍
  • 使用Page EEPROM大约需要66小时
  • 使用4a串行Flash存储器大约需要110小时

因此,在本例中,Page EEPROM可以节省两天的生产时间

在生产过程中快速对存储器进行编程和重新编程

在生产过程中,可能需要对存储器重新编程,这不仅需要时间,还会产生成本。Page EEPROM具有超快擦除性能可大大缩短存储器重新编程所需的时间。其擦除速度几乎是串行Flash存储器的100倍:

3.7 ms
存储块擦除
15 ms
芯片擦除

监测生产线上的产品

在生产线上,跟踪与追溯数据是保证正确、及时生产产品的必要条件。Page EEPROM可实现字节写入操作,帮助用户在生产阶段灵活监测生产的产品。

内容验证

对存储器编程后,可能希望检查其内容,以确保应用的数据或固件准确无误。Page EEPROM具有80 MHz四路输出SPI接口,下载速度可达320 Mbit/s,便于在生产线上快速进行内容验证,从而节省成本

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