非易失性存储器让数据记录更高效准确

简化事件记录和读/写指令

• Page EEPROM会在写入新值之前自动擦除原有数据，简化了写指令。
• 写指令非常灵活，可以根据应用需要处理单个字节或一整页内容。

• Page EEPROM绕过了擦除步骤，并可以在1 ms内存储512字节，加快了编程指令的执行速度。
• Page EEPROM的缓冲模式可优化大数据块的存储时间。支持缓冲区加载的页面编程 (PGPR) 指令可对最初处于擦除状态 (FFh) 的1到512字节数据进行编程。同时，该指令还支持在页面编程执行期间，为下一个页面编程操作加载包含512字节数据的缓冲区。如需有关缓冲模式的更多信息，请下载本技术笔记
• 由于擦除指令执行速度非常快，持续时间不足5 ms，可以随时擦除事件扇区和存储块。

支持密集型数据记录，提高准确性

数据记录频率
• SPI通信频率最高80 MHz，可以最大限度地缩短通信时间
• 每个页面都能达到50万次擦写循环的高耐久性，这可以简化数据记录，而且无需采用复杂的磨损均衡策略。
• NVM具有高擦写循环性能，支持在10年内每天对同一页面进行120次更新，而无需任何特定策略。

内嵌ECC特性确保数据高度可靠

Page EEPROM内嵌纠错码，可保证数据完整性。ECC可以纠正单比特位或双比特位位错误，从而防止出现单比特位和双比特位失效，同时还能检测三比特位错误。数据存储位置会承受高应力，因此在一定时间后会变得脆弱。嵌入的ECC特性可保证在循环应力后将数据保存10年，并保持对用户透明。详细了解ECC特性。

串行Page EEPROM具备一系列特性，可以保证数据记录和事件记录功能高效且可靠。高速80 MHz SPI接口搭配灵活的快速写入和编程指令，可减少数据存储操作次数和执行时间。每个页面高达50万次擦写循环的高耐久性可简化数据记录，而嵌入的ECC可在应用生命周期内确保数据的完整性。