800 V STPOWER MDmesh K6超结器件MOSFETs - 意法半导体STMicroelectronics

单位面积导通电阻在业内领先的器件助力提高功率密度，打造更为紧凑的解决方案

800 V STPOWER MDmesh K6系列器件具有出色的性能和易用性，设立了新的行业基准。

这款最新的极高电压超结器件以DPAK封装达到出色的R_DS(on)，帮助设计人员提高系统功率密度，打造更为紧凑的解决方案。再加上Q_g极低，该系列器件能够以更低的开关损耗达到更高的工作频率。

目前已全面生产的DPAK封装产品包括STD80N240K6（R_DS(on)最高220 mΩ）、STD80N340K6（R_DS(on)最高340 mΩ）和STD80N450K6（R_DS(on)最高450 mΩ），还有更多产品即将上市。

整个800 V STPOWER MDmesh K6产品组合将包括一系列采用不同封装的其他器件。

该产品系列非常适合照明应用（例如LED驱动器和HID灯）、适配器采用反激式拓扑的SMPS以及平板电视。

STD80N240K6

MDmesh K6器件具有业界领先的单位面积导通电阻，助力提高功率密度，打造更为紧凑的解决方案

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在LED驱动器、充电器和其他基于反激式转换器的应用中，选择适合的反激式MOSFET对于提高效率和功率密度以及缩减设备尺寸和重量至关重要。器件几何形状和制造流程的最新改进降低了单位芯片面积的漏源导通电阻，对满足上述需求大有裨益。