RF集成式无源器件(RF IPD)使用高阻率衬底来集成品质因数组件，如电容器和电感器。许多功能（如阻抗匹配网络、谐波滤波器、耦合器、巴伦和功率组合器/分隔器均可使用IPD技术来设计。意法半导体的IPD使用薄膜和HiRes Si或玻璃晶圆制造技术和光刻加工制造。
集成式无源器件(IPD)
意法半导体的IPD工艺能够将高质量无源元件（电阻器、电感器、电容器）集成在采用各种设计配置的玻璃砂高电阻率硅衬底上。
先进设计系统(ADS)
ADS涵盖了新无线应用的广泛频谱和功率需求。
完整的ADS套件包括布局和有效的EM仿真支持。合作伙伴现在可以利用意通过法半导体的RF IPD代工服务提供的意法半导体卓越IPD工艺和设计工具。
高品质的RF集成无源工艺
意法半导体的高品质的RF集成无源工艺非常适合无源器件，如匹配网络、滤波器、匹配的巴伦、耦合器、功率组合器、多路复用器和混合网络。
它们用于对成本敏感且具有高效率要求的不同类型的RF应用。
匹配的巴伦
 | 巴伦有助于平衡不平衡的信号。它们使用意法半导体的RF IPD工艺，将高品质的无源RF组件集成到单玻璃基板上。除了对称/非对称转换以外，匹配网络也可以集成到小于1 mm2的尺寸中，以实现全部功能。 了解更多 |
RF滤波器
 | RF滤波器用于RF前端中的带通滤波器以及低通或高通滤波器等功能。借助意法半导体的薄膜RF IPD工艺，可将高品质的无源RF组件集成到单玻璃或高阻率硅衬底中，从而能够将RF滤波器轻松集成到前端模块中。 了解更多 |
我们的IPD技术能够覆盖168 MHz及以上频率范围的所有射频应用，如：
意法半导体RF前端的主要优势：
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意法半导体的IPD可用作独立产品，如巴伦和滤波器以及代工服务。它们兼容不同的装配模式（包括CSP、微步进和引线接合法），适用于安装在主印刷接线板(PWB)或完整RF模块内。
