产品概述
描述
STBP112器件为输入电压提供高达+28 V的过压保护。其低RDS(on)N沟道MOSFET开关可根据中国工业和信息化部通信标准YD/T 1591-2006防止连接到OUT引脚的系统受到直流电源故障的影响。
一旦发生输入过压情况，器件会立即通过断开内部低RDS(on)N沟道MOSFET来切断直流电源，防止对受保护组件造成损害。
此外，器件还会监控自身的结温，并在结温超过规定限度时关闭内部MOSFET。
该器件可以由微控制器控制，还能提供关于故障状态的信息。
STBP112采用符合RoHS标准的小型8引脚TDFN (2 mm x 2 mm) 封装。
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所有功能
- 输入电压保护最高28 V
- 集成高压N沟道MOSFET开关 - 165 mΩ低RDS(on)
- 集成电荷泵
- 最大输出电流2 A
- 过热保护
- 软启动功能，可控制涌入电流
- 使能输入 (EN)
- 故障指示输出 (FLT)
- IN输入ESD保护：±15 kV空气放电、±8 kV接触放电（带1 μF输入电容）、±2 kV HBM（独立器件）
- 某些过压选项符合中国通信标准YD/T 1591-2006（仅限过压保护）
- 符合RoHS标准且带有热垫的小型2 x 2 x 0.75 mm TDFN 8引脚封装。
精选 视频
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STBP112
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