产品概述
描述
该器件是一款N沟道功率MOSFET，采用第二代MDmesh™技术开发。这款革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局关联起来，产生的导通电阻和栅极电荷极低，因而能完全满足高效转换器的严苛要求。
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所有功能
- 经过100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STI22NM60N
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符号
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所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |