产品概要
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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性能一览
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 短路耐受时间为10 μs
- 低 VCE(sat)（1.7 V典型值）@ IC = 50 A
- 紧凑参数分布
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 柔软、恢复速度极快的反向并联晶体管
特别推荐
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGYA50M120DF3
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所有资源
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 13 Oct 2021 | 13 Oct 2021 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGYA50M120DF3 | Active 产品已量产 | Max247 long leads | Industrial | Ecopack2 | - | - |
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| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| STGYA50M120DF3 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STGYA50M120DF3 Active
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