产品概要
描述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构设计的IGBT。该器件是新型HB系列IGBT中的成员，有效平衡了导通损耗与开关损耗，大幅提升了频率转换器的效率。此外，其略正的VCE(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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性能一览
- 符合AEC-Q101标准
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 高速开关系列
- 最小尾电流
- VCE(sat) = 1.65 V（典型值）@ IC = 80 A
- 紧凑参数分布
- 安全并联
- 低热阻
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STMicroelectronics - STGWA80H65FBAG
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