产品概要
描述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构设计的IGBT。该器件是V系列IGBT中的一员，能够有效平衡导通损耗与开关损耗，从而显著提升了甚高频转换器的效率。此外，正VCE(sat)正温度系数特性和非常紧密的参数分布，进一步提升了并联操作的安全性。
IGBT与碳化硅二极管共同封装在一起：碳化硅二极管关断时未观察到恢复现象，最小电容性关断行为不受温度影响。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
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性能一览
- 符合AEC-Q101标准
- 最高结温：TJ = 175 °C
- VCE(sat) = 1.85 V（典型值）@ IC = 60 A
- 无拖尾开关电流
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 正VCE(sat) 温度系数
- 无反向恢复电荷的碳化硅二极管以续流配置方式共同封装
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGWA60V60DWFAG
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