产品概要
描述
此器件使用先进的专有沟槽栅场截止结构技术，作为M系列IGBT的一部分，它代表了为了使逆变系统效率最大化同时又兼顾 了低损耗和短路能力的最佳折中。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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性能一览
- 10μs的短路耐受时间
- VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 软恢复反并联二极管
特别推荐
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGWA15M120DF3
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| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA15M120DF3 | Active 产品已量产 | TO-247 long leads | Industrial | Ecopack2 | - | - |
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| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
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| STGWA15M120DF3 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STGWA15M120DF3 Active
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