产品概述
描述
此器件使用先进的专有沟槽栅场截止结构技术，作为M系列IGBT的一部分，它代表了为了使逆变系统效率最大化同时又兼顾 了低损耗和短路能力的最佳折中。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
-
所有功能
- 10μs的短路耐受时间
- VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 软恢复反并联二极管
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGWA15M120DF3
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA15M120DF3 | 批量生产 | TO-247 long leads | 工业 | Ecopack2 | - | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STGWA15M120DF3 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STGWA15M120DF3 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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