产品概述
描述
最新的IGBT 650 V HB2系列代表了先进的专有沟槽栅场截止结构的发展。凭借低电流值下具有更好的VCECE(sat)表现和开关能量的降低，使HB2系列的传导性能得到了优化。极快软恢复二极管与IGBT反并联封装在一起。从而实现了专门设计用于最大化各种快速应用效率的产品。
-
所有功能
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 低VCE(sat) = = 1.55 V （典型值）@ IC = 100 A
- 极快软恢复共封装二极管
- 最小尾电流
- 紧凑参数分布
- 低热阻
- 正VCE(sat)温度系数
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGWA100H65DFB2
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 Apr 2020 | 22 Apr 2020 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA100H65DFB2 | 批量生产 | Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package | TO-247 long leads | 工业 | Ecopack2 | 10 | 2024-06-04T00:00:00.000+02:00 | |
STGWA100H65DFB2
Package:
Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packageMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
Don't show this again
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | 一般描述 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWA100H65DFB2 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
|
STGWA100H65DFB2 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
Don't show this again